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偽靜態(tài)隨機存儲器芯片（Psram）

PSRAM采用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小,
同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。
比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。
由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場合，
能夠提供帶寬范圍從100Mbps ~ 2.128Gbps的大范圍。

EMI
ISSI

VTI科技公司主要以SRAM芯片和pSRAM芯片產(chǎn)品為主，是一家無晶圓芯片設計公司，以下產(chǎn)品為PSRAM存儲芯片，屬于偽靜態(tài)隨機存儲器芯片，內(nèi)部為DRAM核心外加SRAM接口，產(chǎn)品的容量范圍為1/4/8/16/32/64Mb，常用容量為32/64Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品?？杉嫒萏鎿QISSI/CYPRESS/Lyontek/Renesas等品牌同類別PSRAM產(chǎn)品。

型號	容量	位寬	溫度	電壓(V)	速度(ns)	封裝	包裝	狀態(tài)	PDF
VTI108NA16LM	8Mb	512K x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	Tray	MP	聯(lián)系我們
VTI108LA16LM	8Mb	512K x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	Tray	MP	聯(lián)系我們
VTI116NA16LM	16Mb	1M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	Tray	MP	聯(lián)系我們
VTI116LA16LM	16Mb	1M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	Tray	MP	聯(lián)系我們
VTI132NA16LM	32Mb	2M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	Tray	MP	聯(lián)系我們
VTI132LA16LM	32Mb	2M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	Tray	MP	聯(lián)系我們
VTI164NA16LM	64Mb	2M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	Tray	MP	聯(lián)系我們
VTI164LA16LM	64Mb	2M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	Tray	MP	聯(lián)系我們

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