ISSI基于糾錯的8Mb高速低功耗異步SRAM這種創(chuàng)新設(shè)計加強(qiáng)了ISSI對具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長期承諾。該行業(yè)首款基于糾錯碼(ECC)的異步SRAM滿足汽車、工業(yè)、軍事航空航天和其他應(yīng)用的高質(zhì)量要求。
 
錯誤檢測和錯誤糾正
•每個字節(jié)具有漢明碼的獨立ECC
•檢測并糾正每個字節(jié)的一位錯誤
•比只能檢測錯誤但不能糾正錯誤的奇偶校驗碼方案具有更好的可靠性
•向后兼容：替代當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（無ECC）

 
應(yīng)用
•汽車
•軍用航天/醫(yī)療
•工業(yè)的
•電信/網(wǎng)絡(luò)
額外的ECC異步SRAM
•2Mb、4Mb、1Mb
 
主要特征

	IS64WV51216EDBLL (A1)	IS64WV51216EDBLL (A3)	注釋
溫度支持	工業(yè)（-40°C 至 +85°C）	汽車（-40°C 至 +125°C）	聯(lián)系ISSI代理商了解軍用溫度
技術(shù)	65nm	65nm
待機(jī)電流	15mA	35mA	典型值 2mA
工作電流	50mA	65mA	典型值 15 mA
數(shù)據(jù)保留電流	15mA	35mA	典型值 2mA
包裝	TSOP-II（44 針） BGA（48 針）	TSOP-II（44 針） BGA（48 針）	引腳與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 8Mb 異步兼容。

關(guān)鍵詞：串行FRAM