移動應(yīng)用的發(fā)展催生3D NAND快閃存儲器

來源： 日期：2018-02-08 15:51:08

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智能手機使用者在不斷研究更好的移動體驗，除了提升裝置的處理性能以外，還需要更大容量的儲存，才足以支撐5G、擴增實境(AR)、人工智能(AI)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導(dǎo)向的新一代應(yīng)用。以前容量只有16GB、32GB的智能手機已無法滿足現(xiàn)在的移動應(yīng)用需求，為3D NAND快閃存儲器(flash)的進展奠定基礎(chǔ)。

 

Western Digital (WD)最近推出采用64層堆疊的3D NAND技術(shù)以及UFS與e.MMC介面的全新iNAND嵌入式快閃存儲器(EFD)系列，也許能夠讓智能手機使用者能夠充份體驗當(dāng)今由數(shù)據(jù)驅(qū)動的新興移動應(yīng)用。

 

隨著智能手機用戶數(shù)量的不斷增加，各種移動應(yīng)用程式(app)的下載量、豐富的多媒體內(nèi)容，以及照片和視頻擷取產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量也像雪球般地越滾越大，再加上5G、AI以及AR/VR等數(shù)據(jù)密集型的新興應(yīng)用出現(xiàn)，不斷為移動裝置帶來龐大的數(shù)據(jù)儲存需求。

 

3D NAND是快閃存儲器領(lǐng)域的重大進步，可為邊緣裝置帶來龐大的儲存容量與成長潛力。智能手機一直以來都使用嵌入式快閃存儲器儲存與執(zhí)行應(yīng)用程式，但隨著平面2D NAND技術(shù)逐漸達到微縮極限，越來越難在儲存容量及其效能方面取得新的突破。

 

現(xiàn)在，采用創(chuàng)新制程架構(gòu)的3D NAND技術(shù)出現(xiàn)，以更低的每位成本解決了平面2D NAND微縮的挑戰(zhàn)，提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高的可靠性。此外，在如今約有高達96%的數(shù)據(jù)量都必須在邊緣處理的環(huán)境下，為移動裝置采用3D NAND嵌入式快閃存儲器已是勢在必行。




關(guān)鍵詞：3D NAND快閃存儲器(flash)

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