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ReRAM是創(chuàng)新型的、高能效的存儲器技術

來源：日期：2018-01-25 14:50:54

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阻變隨機存儲器在眾多創(chuàng)新型的、低能耗、更加微縮性、高容量、高性能以及高可靠性的存儲解決方案的開發(fā)競爭中被普遍認為是最有前景的技術。典型的ReRAM存儲單元，在兩個金屬電極之間，像三明治結(jié)構(gòu)那樣，部署使用了轉(zhuǎn)換介質(zhì)材料，從而使轉(zhuǎn)換介質(zhì)材料在加載特定的電壓條件下，表征為不同的電阻特性。依靠于所選取的不同轉(zhuǎn)換介質(zhì)材料和存儲單元的組織架構(gòu)，所能得到的性能差異是明顯的。

與閃存不同的是，ReRAM是可以比特/字節(jié)級尋址的，并且是能夠?qū)崿F(xiàn)可獨立重寫的小頁面架構(gòu)。片上存儲通過防止了閃存所必需的數(shù)據(jù)管理所帶來的大量的后臺存儲器訪問，從而最大化地簡化了微控制器的復雜程度。它還可以使用更寬的存儲器總線，突破多個計算核和存儲之間的帶寬瓶頸。ReRAM在減小讀寫延遲、降低能耗和延長產(chǎn)品壽命等方面取得了顯著的優(yōu)勢。

在存儲單元層面，ReRAM提高了寫性能，降低了功耗；在系統(tǒng)層面，片上存儲器減少了相較于外部非易失性存儲器高達50倍的能耗。而且，更低的、更易預測的訪問延遲可以減少代碼提取和數(shù)據(jù)流的執(zhí)行時間，從而降低了能耗。

對各個組件進行不同的機械互連和為應對不同復雜度的各種方法會降低良品率并提高總的制造成本。而存儲器的單片集成再也不需要這些機械互連和應對不同復雜度的方法。而且，ReRAM技術可以很容易地被集成到標準的CMOS邏輯電路中并且很容易地利用現(xiàn)有的CMOS代工廠進行制造。相較于藍牙低功耗BLE的無線發(fā)送能耗，更多的片上存儲可以使數(shù)據(jù)日志應用節(jié)省40倍的能耗。

ReRAM解決方案帶來了互連中的物聯(lián)網(wǎng)領域的偉大創(chuàng)新。能夠很容易地、大容量地與邏輯電路、模擬電路和RF組件集成于單個SoC中,并能夠在無須電池充電的條件下運行多年的低能耗、快速、非易失性大容量存儲器，也使得未來的智能設備在物聯(lián)網(wǎng)、消費類電子產(chǎn)品和工業(yè)應用實現(xiàn)縱橫跨越成為可能。

關鍵詞：ReRAM

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