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三星量產(chǎn)第2代10nm FinFET

來源：日期：2017-12-12 16:54:48

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三星近日宣布開始大規(guī)模量產(chǎn)以第2代10nm FinFET制程技術(shù)(10LPP)為基礎(chǔ)的單芯片系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品，其搭配該單芯片系統(tǒng)的電子產(chǎn)品，也預(yù)計(jì)將在2018年第一季問市。

三星透露，10LPP技術(shù)針對(duì)低功耗產(chǎn)品所研發(fā)，相較于第1代的10LPE在制程可使性能提高10%、功耗降低15%。該制程延續(xù)于已量產(chǎn)中的10LPE制程，將大幅縮短從開發(fā)到大量生產(chǎn)的準(zhǔn)備時(shí)間，并提供更高的初期生產(chǎn)良率，因此在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中更有優(yōu)勢(shì)。

三星稱，預(yù)計(jì)將于2018年首季推出采用10LPP制程技術(shù)制造的電子產(chǎn)品。因?yàn)樵诰A處理上和10nm LPE有跟多共同點(diǎn)，所以三星承諾不僅不會(huì)有跳票的情況發(fā)生，同時(shí)也會(huì)擴(kuò)展客戶數(shù)量。

因此，三星位于華城（Hwaseong）的S3工廠也為量產(chǎn)做好了準(zhǔn)備，目前正準(zhǔn)備加速生產(chǎn)10納米及其以下制程技術(shù)。據(jù)了解，華城S3工廠是三星晶圓代工業(yè)務(wù)的第3座晶圓廠，其它兩座分別是位于韓國(guó)京畿道的器興(Giheung)的S1以及位于美國(guó)奧斯汀的S2。

根據(jù)規(guī)劃，三星的7納米FinFET制程技術(shù)與EUV(ExtremeUltraViolet)技術(shù)也預(yù)計(jì)將在S3晶圓廠中于2018年開始大量生產(chǎn)。

另據(jù)Engadget、ZDNet報(bào)道，由三星代工的高通驍龍845極大可能會(huì)運(yùn)用10LPP技術(shù)，三星Galaxy S9搭載的Exynos 9810處理器將會(huì)使用該工藝。

據(jù)悉，三星8nm LPP制程工藝的技術(shù)驗(yàn)證工作也已完成，將于不久之后大規(guī)模量產(chǎn)。三星表示，相比于 10nm 制程，全新8nm制程的芯片不僅面積能縮減 10%，功耗也能降低10%。該工藝正式投產(chǎn)后，將會(huì)定位于高端旗艦市場(chǎng)。

有媒體報(bào)道稱，三星和高通也在推進(jìn)8nm工藝，首款產(chǎn)品（驍龍855或者服務(wù)器芯片）將在明年秋季推出。

關(guān)鍵詞：FinFET制程技術(shù)

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三星量產(chǎn)第2代10nm FinFET