存儲(chǔ)器芯片景氣或觸頂
來(lái)源： 日期：2017-12-05 15:31:33
摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲(chǔ)器芯片獲利或?qū)㈦y以繼續(xù)增長(zhǎng)為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評(píng)等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標(biāo)價(jià)下調(diào)3.4%至280萬(wàn)韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)在2017年第四季開(kāi)始反轉(zhuǎn)，下行風(fēng)險(xiǎn)隨之升高。并且2018年第一季以后的DRAM供需能見(jiàn)度也已降低。
三星電子表示，2018年DRAM、NAND型快閃存儲(chǔ)器供需預(yù)計(jì)將持續(xù)吃緊。三星電子10月27日盤(pán)中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來(lái)最大跌幅。三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng)10月底以來(lái)最大跌幅。韓國(guó)股市27日早盤(pán)遭逢來(lái)自外資與法人的賣(mài)壓，以三星電子為首的科技股不斷下跌。
美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron Technology Inc.)11月24日上漲1.10%，收49.68美元，創(chuàng)2000年9月27日以來(lái)收盤(pán)新高。今年累計(jì)大漲126.64%。
英特爾、美光科技11月13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴(kuò)建工程。新聞稿指出，規(guī)模擴(kuò)大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D XPoint存儲(chǔ)器媒體。成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。美光將在12月19日公布2018會(huì)計(jì)年度第一季財(cái)報(bào)。據(jù)悉，美光的存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存解決方案協(xié)助推動(dòng)人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)以及自主駕駛車等顛覆性趨勢(shì)。
大摩認(rèn)為內(nèi)存和閃存行業(yè)周期即將到來(lái)，并將三星電子、臺(tái)積電和西部數(shù)據(jù)等半導(dǎo)體硬盤(pán)龍頭企業(yè)均遭下調(diào)至“觀望”評(píng)級(jí)，全球最大的工業(yè)寬溫閃存供應(yīng)商群聯(lián)電子遭下調(diào)至“看跌”評(píng)級(jí)，目標(biāo)股價(jià)較市價(jià)縮水12%。
關(guān)鍵詞：
3D XPoint DRAM
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RAM ROM SRAM DRAM 四種存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)
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