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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 明年恐將供過于求

來源: 日期:2017-11-22 16:12:43

三星(Samsung)今年資本支出將增長至260億美元,其中,又將以3D NANDFlash為發(fā)展主力,研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為,如此一來,3D NANDFlash恐怕會出現(xiàn)將供過于求的現(xiàn)象。
  
IC Insights預(yù)測,今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元,將增長35%。其中,三星今年資本支出將倍增至260億美元,比英特爾(Intel)與臺積電的加起來還多。
  
三星今年的資本支出主要投入到3D儲存型閃存(NAND Flash),投資資金高達(dá)140億美元,IC Insights指出,三星將斥資70億美元,推進(jìn)動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)制程技術(shù),并彌補(bǔ)因制程轉(zhuǎn)換造成的產(chǎn)能損失。
  
在晶圓代工方面,IC Insights表示,三星將投入50億美元擴(kuò)增10納米制程產(chǎn)能。
  
除三星投入巨額資本支出,SK海力士(Hynix)與美光(Micron)等三星競爭對手資本支出也將顯著增加,IC Insights認(rèn)為,這恐將引發(fā)3D NAND Flash市場供過于求。
 
 
關(guān)鍵詞:NAND Flash
 
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