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RRAM和3D NAND性能介紹
在存儲(chǔ)器性能和存儲(chǔ)容量方面來(lái)說(shuō),RRAM和3D NAND都代表著一個(gè)巨大的飛躍。和今天的平面NAND閃存相比,Crossbar的RRAM確保了20倍的寫性能和10倍的耐久性。Minassian說(shuō),像3DNAND一樣,RRAM存儲(chǔ)器進(jìn)行芯
2018-03-26
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兩種新型存儲(chǔ)器技術(shù)誰(shuí)更勝一籌?
三星宣布其正在批量生產(chǎn)三維(3D)垂直NAND(V-NAND)芯片;接著創(chuàng)業(yè)公司Crossbar表示已經(jīng)創(chuàng)建了一個(gè)電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)芯片的原型。
2018-03-26
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可穿戴設(shè)備選擇適當(dāng)?shù)膽?yīng)用處理器或微控制器
除了需要應(yīng)用處理器的高級(jí)信息娛樂設(shè)備之外,MCU完全可以滿足大多數(shù)可穿戴設(shè)備的需求。此外,最新MCU可在單個(gè)芯片中集成大部分功能。這對(duì)于降低可穿戴設(shè)備的整體尺寸和BOM成本都有至關(guān)重
2018-03-23
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DDR內(nèi)存就快被淘汰了?
這一年來(lái)有關(guān)國(guó)內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息鬧得滿城風(fēng)雨,紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)有了新突破,小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存,下半年會(huì)接著推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片
2018-03-23
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2018年全球晶圓廠設(shè)備支出分析
近日國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布《全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告》,報(bào)告顯示,2019年全球晶圓廠設(shè)備支出將增加5%,連續(xù)第四年呈現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。除非原有計(jì)劃大幅變更,中國(guó)大陸將是2018、2019年全球晶圓廠
2018-03-22
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可穿戴電子產(chǎn)品選擇MCU的標(biāo)準(zhǔn)
可穿戴設(shè)備是指人體可穿戴的微型電子產(chǎn)品,通常與現(xiàn)有配飾(如手表)集成或者取而代之。在物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的支持下,該細(xì)分市場(chǎng)正迅猛發(fā)展,因此對(duì)于更小型化、更直觀的設(shè)備的需求也在快速提
2018-03-20
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